- Brand : Lenovo
- Product family : ThinkServer
- Product series : RD
- Product name : RD120
- Product code : 644721M
- Category : เครื่องแม่ข่าย
- Data-sheet quality : created/standardized by Icecat
- Product views : 79821
- Info modified on : 19 Jul 2024 20:16:30
-
Short summary description Lenovo ThinkServer RD120 เครื่องแม่ข่าย ชั้น Intel® Xeon® หมายเลข 5000 E5430 2.66 GHz 4 GB DDR2-SDRAM 835 W
:
Lenovo ThinkServer RD120, 2.66 GHz, E5430, 4 GB, DDR2-SDRAM, 835 W, ชั้น
-
Long summary description Lenovo ThinkServer RD120 เครื่องแม่ข่าย ชั้น Intel® Xeon® หมายเลข 5000 E5430 2.66 GHz 4 GB DDR2-SDRAM 835 W
:
Lenovo ThinkServer RD120. ตระกูลของหน่วยประมวลผล: Intel® Xeon® หมายเลข 5000, ความถี่ของหน่วยประมวลผล: 2.66 GHz, รุ่นของหน่วยประมวลผล: E5430. หน่วยความจำภายใน: 4 GB, ประเภทหน่วยความจำภายใน: DDR2-SDRAM, ผังหน่วยความจำ (ช่องใส่ x ขนาด): 2 x 2 GB. ขนาดของฮาร์ดไดรฟ์: 3.5 นิ้ว. แหล่งจ่ายไฟ: 835 W, แหล่งจ่ายไฟสำรอง. ประเภทแชสซี: ชั้น
Embed the product datasheet into your content
หน่วยประมวลผล | |
---|---|
ผู้ผลิตหน่วยประมวลผล | Intel |
ตระกูลของหน่วยประมวลผล | Intel® Xeon® หมายเลข 5000 |
รุ่นของหน่วยประมวลผล | E5430 |
ความถี่ของหน่วยประมวลผล | 2.66 GHz |
แกนหน่วยประมวลผล | 4 |
แคชของหน่วยประมวลผล | 12 MB |
เมนบอร์ดชิปเซ็ต | Intel® 5000P |
จำนวนหน่วยประมวลผลที่ติดตั้งไว้แล้ว | 1 |
การเกิดความร้อนมากที่สุดของ CPU ในเวลาใดเวลาหนึ่ง | 80 W |
ชนิดของหน่วยความจำแคชของหน่วยประมวลผล | L2 |
ฟรอนต์ไซด์บัส (ไซด์บัส) ของหน่วยประมวลผล | 1333 MHz |
ซ็อกเก็ตของหน่วยประมวลผล | LGA 771 (Socket J) |
ลิโทกราฟีของหน่วยประมวลผล | 45 nm |
กลุ่มชุดคำสั่งของหน่วยประมวลผล | 4 |
โหมดการทำงานของหน่วยประมวลผล | 64 บิท |
อุปกรณ์ Stepping | E0 |
FSB พาริตี้ | |
ชนิดของบัส | FSB |
ชื่อรหัสของตัวประเมินผล | Harpertown |
Tcase | 67 °C |
ECC ที่หน่วยประมวลผลรองรับ | |
การจัดการกับบิตที่ใช้งานไม่ได้ | |
สถานะไม่ได้ใช้งาน | |
เทคโนโลยีการตรวจจับความร้อน | |
ขนาดแพ็คเกจของตัวประมวลผล | 37.5 x 37.5 มม. |
รหัสหน่วยประมวลผล | SLBBK |
เลือกเป็นแบบฝังตัว (embedded) ได้ | |
จำนวนของทรานซิสเตอร์แบบ Processing Die | 820 M |
ตัวคูณซีพียู (อัตราส่วนบัสต่อคอร์) | 8 |
ขนาดของ Processing Die | 214 ตร.มม. |
ชนิดของระบบประมวลผล | DP |
ตระกูลของตัวประมวลผล | Intel Xeon 5400 Series |
หน่วยประมวลผลแบบไม่มีการขัดแย้ง |
หน่วยความจำ | |
---|---|
หน่วยความจำภายใน | 4 GB |
ประเภทหน่วยความจำภายใน | DDR2-SDRAM |
ความเร็วในการส่งข้อมูล | 677 MHz |
ผังหน่วยความจำ (ช่องใส่ x ขนาด) | 2 x 2 GB |
หน่วยความจำภายในสูงสุด | 48 GB |
หน่วยจัดเก็บข้อมูล | |
---|---|
ขนาดของฮาร์ดไดรฟ์ | 3.5 นิ้ว |
ระดับ RAID | 1, 5, 6, 10, 1E |
hot-swap |
ระบบเครือข่าย | |
---|---|
พร้อมเครือข่าย | |
เครือข่ายคุณสมบัติ | Broadcom 5708 Gigabit 10/100/1000 Ethernet |
การออกแบบ | |
---|---|
ประเภทแชสซี | ชั้น |
คุณสมบัติพิเศษของหน่วยประมวลผล | |
---|---|
เทคโนโลยี Intel® Rapid Storage | |
เทคโนโลยี Enhanced Intel SpeedStep | |
เทคโนโลยีการแสดงผลแบบไร้สายของ Intel | |
เทคโนโลยี Intel® Virtualization สำหรับ I/O ทางตรง (VT-d) | |
เทคโนโลยีการป้องกันขโมยของ Intel® (Intel® AT) | |
เทคโนโลยี Hyper Threading ของ Intel® (Intel® HT Technology) | |
เทคโนโลยีเชื่อมต่อสัญญานไร้สาย Intel® My WiFi (Intel® MWT) | |
เทคโนโลยีบูสต์แบบรวดเร็ว Intel® Turbo Boost | |
อินเทลควิกซิงค์วิดีโอ (Intel® Quick Sync Video) | |
เทคโนโลยีสามมิติของ InTru™ | |
เทคโนโลยี Intel® Clear Video HD (Intel® CVT HD) | |
ตัวภายในของ Intel® (Intel® Insider™) | |
การเข้าถึงหน่วยความจำ Intel® Flex | |
วิธีการเข้ารหัสแบบกลุ่มของ Intel® (Intel® AES-NI) | |
เทคโนโลยี Intel® Trusted Execution | |
Intel® Enhanced Halt State | |
เทคโนโลยี VT-x พร้อม Extended Page Tables (EPT) | |
Intel® Demand Based Switching | |
เทคโนโลยีเคลียร์วีดีโอของอินเทล | |
เทคโนโลยี Intel® Clear Video สำหรับ MID (Intel® CVT for MID) | |
Intel® 64 | |
เทคโนโลยี Intel® Virtualization (VT-x) | |
เทคโนโลยี Intel® Dual Display Capable | |
เทคโนโลยี Intel® FDI | |
การเข้าถึงหน่วยความจำอย่างรวดเร็วของ Intel® | |
หน่วยประมวลผล ARK ID | 33081 |
กำลังไฟ | |
---|---|
จำนวนของหน่วยการจัดหาพลังงาน | 2 |
แหล่งจ่ายไฟสำรอง | |
แหล่งจ่ายไฟ | 835 W |