Short summary description Integral INL512USNSRXQ memory module 0,5 გბ 1 x 0.5 გბ 133 მჰ ECC:
Integral INL512USNSRXQ, 0,5 გბ, 1 x 0.5 გბ, 133 მჰ, 168-pin DIMM
Long summary description Integral INL512USNSRXQ memory module 0,5 გბ 1 x 0.5 გბ 133 მჰ ECC:
Integral INL512USNSRXQ. შიდა მეხსიერება: 0,5 გბ, Memory layout (modules x size): 1 x 0.5 გბ, მეხსიერების საათის სიჩქარე: 133 მჰ, Memory form factor: 168-pin DIMM, ECC
We use cookies to ensure that we give you the best experience on our website. If you continue to use this site we will assume that you are happy with it.