Each of several items in a list, preceded by a bullet symbol for emphasis.
:
- - Notebook 1 გბ DDR 333 მჰ
- - 200-pin SO-DIMM 1 x 1 გბ
- - CAS შეყოვნების დრო: 2.5
- - 2.5 V
მეტი>>>
Short summary description Silicon Power 1GB DDR 333MHz SO-DIMM memory module 1 გბ 1 x 1 გბ 333 მჰ:
This short summary of the Silicon Power 1GB DDR 333MHz SO-DIMM memory module 1 გბ 1 x 1 გბ 333 მჰ data-sheet is auto-generated and uses the product title and the first six key specs.
Silicon Power 1GB DDR 333MHz SO-DIMM, 1 გბ, 1 x 1 გბ, DDR, 333 მჰ, 200-pin SO-DIMM
Long summary description Silicon Power 1GB DDR 333MHz SO-DIMM memory module 1 გბ 1 x 1 გბ 333 მჰ:
This is an auto-generated long summary of Silicon Power 1GB DDR 333MHz SO-DIMM memory module 1 გბ 1 x 1 გბ 333 მჰ based on the first three specs of the first five spec groups.
Silicon Power 1GB DDR 333MHz SO-DIMM. Component for: Notebook, შიდა მეხსიერება: 1 გბ, Memory layout (modules x size): 1 x 1 გბ, შიდა მეხსიერების ტიპი: DDR, მეხსიერების საათის სიჩქარე: 333 მჰ, Memory form factor: 200-pin SO-DIMM, CAS შეყოვნების დრო: 2.5